
SiC-Photodioden
sehr geringer Dunkelstrom (fA-Bereich) - hohe UV-Empfindlichkeit (200 … 400nm)
- spezielle Hoch- und Tieftemperaturversionen
- voll hermetisches TO-Gehäuse
Andere Gehäusevarianten, Einsatztemperaturen oder
kundenspezifische Modifikationen bieten wir auf Anfrage .
Produkt
Beschreibung
Datenblatt
JEC 0,1-4L
0,3 mm x 0,3 mm SiC Photodiode mit Linsenkappe
JEC 0,3-4L
0,5 mm x 0,5mm SiC Photodiode mit Linsenkappe
JEC 0,1SHT
wie JEC 0,1(S), aber Dauerbetriebstemperatur +150°C (LT=Tieftemperaturvariante auf Anfrage)
JEC 1IS
wie JEC 1S, aber isolierte Chipmontage
JEC 1,6I
wie JEC 1,6 aber zum Gehäuse isolierte Montage
JEC 5I
wie JEC 5, aber zum Gehäuse isolierte Montage
JEC 1,6R
wie JEC 1,6, aber umgekehrte Polarität
JEC 5R
wie JEC 5, aber umgekehrte Polarität
JEC 0,1S
0,3mm x 0,3mm SiC-Photodiode
JQC 5R
monolithische SiC-Quadrantenphotodiode 4x1,25mm2
JEC 1,6
SiC-Photodiode 1,25mm x 1,25mm
JEC 5
SiC-Photodiode Durchmesser 2,525mm
JEC 0,1SS
0,3mm x 0,3mm SiC-Photodiode
JEC 0.1
0,3mm x 0,3mm SiC-Photodiode
JEC 0,3S
0,5mm x 0,5mm SiC-Photodiode
JEC 0,3SS
0,5mm x 0,5mm SiC-Photodiode
JEC 0,3
0,5mm x 0,5mm SiC-Photodiode
JEC 1S
1mm x 1mm SiC-Photodiode
JEC 1SS
1mm x 1mm SiC-Photodiode
JEC 1
1mm x 1mm SiC-Photodiode