
Prinzipaufbau
lagegenaue Montage von Detektorchips auf Basis Si,
GaP
und Verbindungshalbleitern zu Zeilen und Arrays
- Kombination von Detektorchips mit
strahlformenden
Bauelementen (Filtern, Gittern und Linsen)
- Integration der Auswerte/Vorverarbeitungselektronik
im Detektorgehäuse zur Sicherung einer störungsarmen
Signalübertragung/-verarbeitung
- Integration von Peltierelementen und Temperatursensoren
Neben den hier aufgeführten Si-Detektoren mit
integrierter Signalaufbereitung fertigen wir eine
Vielzahl von Detektoren, Single
Photodioden, Quadrantendetektoren, Zeilen und Arrays in Spezialgehäusen. Bitte
wenden Sie sich für weitere Informationen direkt an uns
oder die
für Ihre Region
zuständigen
Distributoren
Produkt
Beschreibung
Datenblatt
JI 447L
4,8 mm² Si-Photodiode mit integriertem JFET-Transimpedanzverstärker; Ersatz für IPL10500
JI 448L
4,8 mm² Si-Photodiode mit integriertem JFET-Transimpedanzverstärker; Ersatz für IPL10530
JI 546
4,8 mm² Si-Photodiode mit integriertem JFET- Transimpedanzverstärker, dekadisch gestufte Empfindlichkeit
JI 547
4,8 mm² Si-Photodiode mit integriertem JFET- Transimpedanzverstärker, dekadisch gestufte Empfindlichkeit
JI 548
4,8 mm² Si-Photodiode mit integriertem JFET- Transimpedanzverstärker, dekadisch gestufte Empfindlichkeit
JI 576
7 mm² Si-Photodiode mit integriertem JFET- Transimpedanzverstärker, dekadisch gestufte Empfindlichkeit
JI 577
7 mm² Si-Photodiode mit integriertem JFET- Transimpedanzverstärker, dekadisch gestufte Empfindlichkeit
JI 578
7 mm² Si-Photodiode mit integriertem JFET- Transimpedanzverstärker, dekadisch gestufte Empfindlichkeit
JI 100EI8UV-T1H
10 mm x 10 mm Si-Photodetektor mit integriertem Transimpedanzverstärker, Peltierkühler u. Temperatursensor
JQI 5P
Quadrantenphotodiode mit integriertem Verstärker
JQI 20P
Quadrantenphotodiode mit integriertem Verstärker
JQI 50P
Quadrantenphotodiode mit integriertem Verstärker
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